沪某半导体技术加工工作芯片制作厂，晶圆制造过程中中生产含硅、氟的特定电镀化工废水，设定加工工作大规模1200吨/日。电镀化工废水因素冗杂，内含nm级硅顆粒及氢佛酸，普通加工工作方式 难易标准。 废气成份及由来 常见环境破坏物 ：固体硅（100-500nm比表面积）、氟化合物（200-300mg/L）、异丙醇 来源于多种工序 ：晶圆刻蚀工业废水处理（45%）、CMP生物学机诫磨光工业废水处理（40%）、设施设备冲泡水（15%） 整理加工具体流程 企业创新适用"无机化学沉淀物+特种工艺膜区分"技术性路径： 钙盐石雕文化沉淀 ：添加氯化钙我们要除氟亚铁离子（添加CaF2沉淀出的） 水解酸化池不起作用 ：符合斜板沉淀池剂体现溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm内径膜挪用微细顆粒 反融合机系统 ：脱盐率>98%，收回率75% 多效蒸发晶粒 ：浓水段满足氟化物0排放标准 后面感觉 氟化物盐浓度：<8mg/L（降到国家1阶段规范10mg/L） 硅占比：<5mg/L 水材料循环率：70%应用在一系列圆形逆流式冷却塔补充水分 危废处理减轻药量：蒸发器残留物量较以往工艺流程避免60%